等离子体增强化学气相沉积

PE-CVD解决方案

与典型CVD反应器相比,等离子体增强型化学气相沉积(PE – CVD)提供了一种可使用更低温度沉积各种薄膜的有效替代方案,同时不会降低薄膜质量。高质量的二氧化硅(SiO2)膜可以在300℃至350℃沉积,而CVD需要650℃至850℃的温度生产类似质量的镀膜。

PE-CVD使用电能产生辉光放电(等离子体),其中能量转移到气体混合物中。这将气体混合物转化成反应性自由基、离子、中性原子和分子,以及其他高活性物质。在PE-CVD中,气相和表面反应受到等离子体性质的强烈控制。代替热活化,气体混合物的电子碰撞电离驱动气相反应,能够在比常规CVD工艺低得多的温度下进行沉积。 对于PE-CVD,沉积速率通常不是基片温度的强函数,表面活化能通常很小。然而,薄膜性质,例如,组成、应力和形态,通常是基片温度的强函数。

PE-CVD

pe-cvd diagram


等离子体增强CVD的优点

PE-CVD镀膜的一些理想性能包括,良好的粘附性、低针孔密度、良好的保形性,以及平面和三维表面上的均匀性。 PE-CVD的实用性和灵活性在于,其能够在从硅片到汽车部件的各种基材上沉积高质量的镀膜。此外,等离子体增强CVD系统比常规CVD提供更低的拥有成本。

丹顿真空公司专门从事等离子增强CVD (PE-CVD),沉积类金刚石(DLC)镀膜。DLC镀膜是一类无定形碳膜,表现出与金刚石相似的性能,例如,硬度、抗刮擦性和高导热性。此外,DLC镀膜由于其生物相容性、红外透明性和电绝缘性能,在商业方面极具价值。丹顿公司已经开发专有的能力,扩展DLC的特性范围,包括抗指纹和疏水性。

我们的 Voyager PE-CVD解决方案提供低温溅射,具有高度均匀性。 有关详细信息和数据表,请单击下面的Voyager产品页面。


PE-CVD系统