离子束溅射-IBS解决方案

离子束溅射(IBS),也称为离子束沉积(IBD),是一种薄膜沉积工艺,使用离子源,将靶材(金属或电介质)沉积或溅射到基片上,以形成金属或电介质膜。因为离子束是等能的(离子具有相等的能量),且高度准直,所以与其他PVD(物理气相沉积)技术相比,其能够精确地控制厚度,并沉积非常致密的高质量薄膜。

IBD系统的典型配置是网格离子源、靶材和基片。离子束聚焦在靶材上,溅射的目标材料沉积在附近的基片上。通常的做法是,利用指向基片的第二网格离子源,提供离子辅助沉积(IAD)。在沉积金属氧化物或氮化物膜时,IAD非常有助于改善膜的物理密度、水分稳定性、光学和机械性能。此外,在沉积期间加热基片也可能改善整体性能。


对化学计量和膜厚的出色控制

IBD的一个关键优势是可以独立控制多个参数,包括靶溅射速率和IAD参数—离子能量、离子电流密度和入射角,以控制薄膜化学计量和微观结构。这种控制水平是离子束和其他溅射工艺的主要区别,使得IBD成为精密光学或半导体生产等最具挑战性的应用的理想选择。

丹顿真空设备有限公司已经开发出离子束溅射解决方案,为优异的膜厚和均匀性控制提供稳定的沉积速率。有关详细信息和规格,请查看下面的IBD解决方案。

离子辅助沉积

ion assisted deposition


离子束溅射系统

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