铟柱沉积

随着电子消费品技术的进步,焦平面阵列上的特征尺寸越来越小。其结果导致铟柱电镀成为一种低效率的制造技术。铟柱沉积可提供更好的解决方案,提供良好的剥离率、高剪切强度和准直物理气相沉积(PVD)。准直控制通过消除边缘效应和最小尺寸剥离问题,达到优化剥离并提高生产率。


实现高剪切强度

当晶片之间的剪切强度较低时,小的剪切应变会使凸块具有更高的撕裂风险。晶体结构差是剪切强度差的主要原因,晶体结构差本身有两个原因:几何形状和温度。

对于几何形状,晶体结构受到铟沉积期间入射角不精确的影响,导致铟填充不良。当铟源提供准直控制时,可以避免这一问题,准直控制与直接视线的偏差最大为7°,确保直线沉积。这种准直控制还能实现高剥离良率。

对于温度,当基片台对于铟的低熔点(156.6℃)来说太热时,晶体结构会受到影响。丹顿真空设备有限公司的 Integrity铟镀膜解决方案极佳地解决了这一挑战:低温(极冷)基片夹具,非常容易形成小晶粒纹理薄膜,确保良好的晶体结构和较高的剪切强度。

丹顿真空设备有限公司针对铟柱的一致可重复的解决方案,提供准直控制和冷却基片台,可获得最大产量。有关详细信息,请查看下面的产品介绍。


铟柱沉积的特色解决方案

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